GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SIC、金剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。
英國金屬網資訊：根據Lux研究報告稱，憑借其支撐更小的更有效的電子元件，混合半導體材料，像氮化鎵（GaN）,碳化硅（Sic），將在2020年在電動汽車的生產中取代金屬硅。
該美國研究機構稱，以氮化鎵和碳化硅為基的寬頻帶元件更加昂貴，但長期效益不容忽視，例如，美國生產的電動汽車Tesla S model的成本可節省6,000美元。
該機構分析師Pallavi Madakasira 稱，對于小型電池來說，高效的電源設備尤為重要，這不但可以影響電線的串聯效應，熱能調節，對電動汽車的包裝和重量都有積極的影響。除了電源組件，一些終端的娛樂設備和屏幕都會增加電動車混合電源的用量。
報告稱，如果電池成本在250美元以下，像Tesla Model S電動汽車只能選擇比較經濟的碳化硅二極管的大型電源。目前，碳化硅二極管將引領氮化鎵技術進入技術準備階段，不久將進行商業化生產，到2020年此技術將廣泛用于電動汽車。
各國政府也在投資實現此項寬頻帶元件的應用。
美國、日本和英國都在致力于推廣電源器件的應用。美國能源部先進電源器件和電動機部門今年投資6900萬美元發展相關項目。日本政府投資組建一聯合工業大學RD項目，致力于發展豐田、本田和尼桑的電動汽車項目。
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