錳硅合金冶煉“貌視簡(jiǎn)單、實(shí)為困難”，傳統(tǒng)的冶煉認(rèn)識(shí)束縛、限制了硅錳合金冶煉的順利進(jìn)行，給硅錳合金的冶煉造成極大的難度。
舊的認(rèn)識(shí)是“保Mn兼Si”的還原供熱制度、“用C同時(shí)從MnO和SiO2中還原Mn、Si”的理論、“成渣的必然性和形成液態(tài)渣中硅酸錳+C之間的反應(yīng)”以及“長(zhǎng)期采用低電壓大電流深插電極”的供電制度等問(wèn)題。新的認(rèn)識(shí)是：
1、理論概念
1）建立“強(qiáng)Si保Mn”的正確理論
在硅錳合金中只要抓住“強(qiáng)化Si的還原，才能確保Mn的還原”對(duì)整個(gè)冶煉過(guò)程起著“主導(dǎo)作用”。
2）選用“分區(qū)加料和布料”的理論和方法
“分區(qū)加料和布料”使Mn、Si單獨(dú)進(jìn)行還原可避免和減少硅酸錳優(yōu)先形成而改善Mn、Si還原的熱力學(xué)和動(dòng)力學(xué)條件，從而促進(jìn)和提高M(jìn)n、Si的還原，減少液態(tài)渣中硅酸錳+C之間的反應(yīng)。
3）建立“提高V2才能強(qiáng)化Si還原而確保Mn還原”的理念
提高V2對(duì)硅錳合金的冶煉起著主導(dǎo)作用而且能改善各項(xiàng)經(jīng)濟(jì)技術(shù)指標(biāo)。
2、技術(shù)措施
1）提高V2。選擇“還原Si的電力制度”，在保證原V2的基礎(chǔ)上提高20-30%的V2即可，基本參數(shù)不變。
2）采用分區(qū)單獨(dú)加料和布料。硅石+C料布在電極周圍和三角區(qū)內(nèi)，Mn礦+C布在離電極150-200mm的料面上，兩種料只有少量的接觸，可極大地減少硅石和錳礦的接觸幾率，從而避免生成硅酸錳渣。
3）Mn、Si單獨(dú)進(jìn)行直接還原反應(yīng)。MnO+C和SiO2+C在各自的反應(yīng)區(qū)內(nèi)按照自身反應(yīng)規(guī)律進(jìn)行反應(yīng)，最后形成Mn液+MnxCy和Si液下沉熔池再進(jìn)行MnxCy+Si的反應(yīng)及形成少量的熔渣并進(jìn)行。MnO+ SiO2+(3+x)C之間的各種反應(yīng)。
4）加強(qiáng)對(duì)“終渣”的調(diào)整和處理。對(duì)冶煉過(guò)程中形成的自然渣進(jìn)行經(jīng)常性的調(diào)整（R）而改善渣的流動(dòng)性；對(duì)“終渣”(渣和粘裹焦C渣)進(jìn)行定期的集中處理。
3、在對(duì)錳硅合金提出新的理論概念和相應(yīng)技術(shù)措施后，在實(shí)踐生產(chǎn)中必須加以認(rèn)真實(shí)施。
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